GaN- आधारित अर्धचालक एलईडी लाइटिंग में उच्च दक्षता, ऊर्जा की बचत, पर्यावरण संरक्षण, लंबे जीवन और आसान रखरखाव के फायदे हैं। यह गरमागरम और फ्लोरोसेंट लैंप के बाद मानव प्रकाश के इतिहास में एक और प्रकाश क्रांति है। पहनने योग्य प्रौद्योगिकी के विकास के साथ, लचीली अर्धचालक प्रौद्योगिकी धीरे-धीरे भविष्य में मुख्यधारा बन जाएगी, और लचीली जीएन की तैयारी एक शोध हॉटस्पॉट बन गई है जो आज अंतर्राष्ट्रीय ध्यान आकर्षित करती है।
बड़े आकार के नाइट्राइड सब्सट्रेट्स की उच्च लागत के कारण, नाइट्राइड फिल्मों को आमतौर पर नीलम और सिलिकॉन जैसे विषम सामग्री सब्सट्रेट्स के आधार पर एपिटैक्सियल रूप से उगाया जाता है। क्रिस्टल सब्सट्रेट और नाइट्राइड के बीच एक गंभीर जाली बेमेल है, जो एपिटेक्सियल जीएएन पतली फिल्म में एक बड़े तनाव का कारण बनता है, और बड़ी संख्या में प्रवेश अव्यवस्था उत्पन्न करता है, जो एलईडी डिवाइस की चमकदार दक्षता में कमी की ओर जाता है। इसलिए, एलईडी प्रदर्शन में सुधार के लिए कम-तनाव, उच्च गुणवत्ता वाली गाएन फिल्मों की तैयारी विशेष रूप से महत्वपूर्ण है।
वर्तमान में, लचीली GaN तैयार करने के लिए लेजर लिफ्ट-ऑफ तकनीक मुख्य विधि है, लेकिन असमान लेजर ऊर्जा घनत्व वितरण के कारण GaN पतली फिल्म प्रोट्रूशंस टूट जाती है, और बड़े क्षेत्र में निरंतर और गैर-विनाशकारी GaN फिल्मों को प्राप्त करना मुश्किल होता है। जो गंभीर रूप से लचीले उपकरणों के विकास में बाधा डालता है। ।
टीम ने अध्ययन किया और ग्रेफीन पर नाइट्राइड के चयनात्मक न्यूक्लिएशन तंत्र की खोज की, AlN का सबसे अच्छा न्यूक्लिएशन साइट पाया, और सफलतापूर्वक एक उच्च-गुणवत्ता, तनाव-रहित जीएन एपिटैक्सियल परत तैयार किया। और लिफ्ट-ऑफ प्रक्रिया का अनुकूलन करके, कम क्षति, GaN एपिटैक्सियल परत के बड़े क्षेत्र के लिफ्ट-ऑफ हस्तांतरण को प्राप्त किया जाता है। लचीली गाएन सामग्री के आधार पर तैयार किया गया वायलेट लाइट-एमिटिंग डायोड एक छोटे से प्रवाह में अल्ट्रा-हाई लाइट आउटपुट पावर प्राप्त करता है। शोध के परिणाम भविष्य में उच्च गुणवत्ता वाले ऊर्ध्वाधर संरचनाओं को प्राप्त करने के लिए GaN- आधारित लचीली प्रकाश व्यवस्था और एल ई डी प्राप्त करने के लिए छील-बंद हस्तांतरण की संभावना को साबित करते हैं।
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