बाहरी क्वांटम दक्षता में सुधार के लिए अभी भी एक लंबा रास्ता तय करना है
इससे पहले, फ्रांसीसी सेमीकंडक्टर सामग्री कंपनी Soitec, जो बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की क्षमता है InGaN आधारित लाल माइक्रो एलईडी चिप्स, २०२० में ५०-माइक्रोन InGaN आधारित लाल माइक्रो एलईडी उपकरणों का विमोचन किया । हालांकि, यूसीएसबी टीम के प्रवक्ता शुभ्रा पसायत ने बताया कि बाह्य क्वांटम दक्षता के बारे में सोइटेक कोई आंकड़ा जारी नहीं किया गया है ।
पसायत ने कहा कि माइक्रो एलईडी उद्योग के व्यवहार्य व्यावसायीकरण के लिए 10 माइक्रोन से छोटे माइक्रो एलईडी महत्वपूर्ण हैं । इसके साथ ही माइक्रो एलईडी डिस्प्ले की जरूरतों को पूरा करने के लिए छोटे आकार के अलावा माइक्रो एलईडी चिप की एक्सटर्नल क्वांटम एफिशिएंसी कम से कम 2-5% होनी चाहिए।
हालांकि, इस बार यूसीएसबी द्वारा प्रदर्शित इंगन आधारित लाल माइक्रो एलईडी चिप की बाहरी क्वांटम दक्षता केवल ०.२% है । इस संबंध में पसायत ने स्पष्ट रूप से कहा कि हालांकि टीम के मौजूदा शोध परिणाम लक्ष्य तक पहुंचने से दूर हैं, लेकिन संबंधित शोध कार्य प्रारंभिक चरण में प्रवेश कर गया है और भविष्य में ठोस प्रगति की उम्मीद की जा सकती है ।
यूसीएसबी टीम का अगला लक्ष्य रेड लाइट माइक्रो एलईडी चिप की बाहरी क्वांटम दक्षता में सुधार करना है। यह वर्तमान में सामग्री की गुणवत्ता में सुधार और उत्पादन कदम में सुधार करने की योजना बना रहा है ।
